Зарядное для авто на транзисторах схема
Трансформаторные ЗУ для автомобильных аккумуляторов с высоким КПД: простейшие на гасящих конденсаторах, а также импульсные на тиристорах, симисторах и мощных полевых транзисторах. Но для начала давайте разомнёмся и забудем про такой параметр, как КПД. Предположим, что есть острое желание зарядить автомобильный АКБ, но нет возможности ввиду полного отсутствия зарядки.
Схемы самодельного зарядного устройства с регулировкой тока и напряжения
В этой конструкции зарядный ток аккумулятора автоматически ограничивается уровнем в 4. Если напряжение на резисторе R1 ток 4A через него составляет mV, то первый транзистор начинает отпираться. Избыточный ток заряда блокируется, т. Разница между приложенным нагрузочным током в коллекторе T4 и реальным напряжением аккумулятора сбалансировано через коллектор-эмиттер транзистора T4. Потребляемая мощность регулируемая транзистором Т4 типа 2N - это есть произведение нагрузочного тока и падения напряжения на Т4. При зарядке 6V аккумулятора скутера это значение доходит максимум до 40 ватт.
Портал QRZ. RU существует только за счет рекламы, поэтому мы были бы Вам благодарны если Вы внесете сайт в список исключений. Мы стараемся размещать только релевантную рекламу, которая будет интересна не только рекламодателям, но и нашим читателям. Отключив Adblock, вы поможете не только нам, но и себе. Мы используем сервисы метрических программ интернет-статистики, необходимые для сбора информации о действиях Пользователей на сайте, улучшения качества сайта и его содержания. Оставаясь на сайте, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.
Автоматическое зарядное устройство
Кравцова Виталия Николаевича. Представленные конструкции уникальны. Все ранее рассмотренные схемы зарядных устройств в качестве силового ключа использовали мощные p-n-p или n-p-n транзисторы, которые позволяли получить достаточно большой ток при небольшом количестве электронных элементов. Однако у используемых биполярных транзисторов имеется существенный недостаток - большое падение напряжения коллектор-эмиттер в режиме насыщения, достигающее Гораздо экономичней вместо биполярных транзисторов устанавливать силовые М ОП MOSFET транзисторы, которые при тех же токах имеют гораздо меньшее в 5 раз падение напряжения на открытом переходе сток-исток.